스킵네비게이션

회원가입

장비현황

SNS 공유

퍼니스(RTP) Furnace(RTP)

시설장비등록번호
NFEC-2019-02-254374
제작사명 모델명
AG Associates AG8108
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 퍼니스

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 부산테크노파크 파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • ○ 장비 Type : SiC Wafer 공정용 RTP Furnace ○ Wafer size : 6inch ○ Wafer Heating Temp : 400 ~ 1,100℃ ○ Temp. Reading Methode : Pyrometer ○ Heating Methode : Tungsten ○ Loading/ Unloading methods : Automation ○ Heating Rate : ≧ 100℃/sec ○ Gas : N2, Ar & O2

  • 구성 및 성능

    • RTP 장비는 빠른 속도로 온도를 상승시키고 열처리 시간을 수 분 이내로 제어할 수 있어 SiC에 균일하게 silicide 형성이 가능하고, Carbon이 SiC 표면 쪽으로 확산되어 남아 있는 Carbon vacancy가 도너 역할을 하여 접촉 저항이 낮아지게 하는 공정에 사용되고, 또한 열처리 시간의 단축 외에도 파티클로 인한 기판의 오염방지가 가능하며 ramp-up/down 속도가 빠름으로 인하여 전력 소모를 크게 줄일 수 있음
목록