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스퍼터 Sputter

시설장비등록번호
NFEC-2019-01-248476
제작사명 모델명
Amat Centura5200
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : (재)부산테크노파크파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • ○ Wafer 관련 ­ - Wafer size: 150mm ­ - Wafer thickness: 350±20㎛ ­ - Wafer warp: >50㎛ ­ - Loading / Unloading: Automation ○ System 관련 ­ - Cluster type sputter ­ - 3-Phase Cryo pump ­ - Main chamber, Loadlock, Transfer robot, Ion gauge, Compressr, etc. ○ Deposition 관련 ­ - Deposition rate: 1㎛/min(Al) ­ - Thickness uniformity: ≤±3% ○ Substrate heating 관련 ­ - Substrate heating temperature: max. 300℃ (Al, TiN) ○ Process gas 관련 ­ - Ar, N2

  • 구성 및 성능

    • 고진공 Chamber 에 주입된 Ar 및 N2 Gas를 DC (또는 RF) Power Source를 통해 이온화 시켜 PLASMA를 형성하고 AR+ 이온은 CATHODE 쪽으로 가속되어 TARGET(증착하고자하는 박막과 동일한 재료 AL, Ti, TiN...등등)에 충돌하여 TARGET으로부터 입자를 물리적으로 이탈시켜 Wafer 표면에 금속 박막을 증착(AL, Ti, TiN 등..) 시키는 용도이며, 이러한 방법을 스퍼터(Sputter)라 한다.
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