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장비현황

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두께측정기 Wafer Bow & Warp Measurement

시설장비등록번호
NFEC-2020-04-262071
제작사명 모델명
Fries Research & Technology Gmbh(FRT) MicroProf TTV 200
표준분류
물리적측정장비 > 길이/위치/자세측정장비 > 위치/자세측정장비

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • ○ Loading, Unloading을 제외한 Wafer 이동이 Auto로 이루어지는 장비로 본체와 별도의 Main Control PC로 구성되며, 개별 노광을 위한 Reticle을 거치하여 공정을 진행하는 시스템으로 구성 -­ Wafer Size: 6inch SiC ­ -­ Measurement: Non-Contact Capacitance ­ -­ Thickness, TTV, Bow, Warp and site and global Flatness ­ -­ Thickness: 200~1200μm ­ -­ Bow: ±350μm ­ -­ Warp: 350μm ­ -­ Resolution: 0.05μm ○ SiC MOSFET 제작 공정 중 Wafer의 두께 측정을 진행하기 위한 핵심장비로 Wafer 표면에 생성된 고집적 미세 회로 및 Backside Grinding 공정 후 가공된 Wafer의 Bow, Warp 및 Wafer 두께를 측정하기 위한 장비 ○ SiC MOSFET 제작 공정은 고온의 공정으로 인하여 SiC Wafer의 Bowing 혹은 Warp이 발생하게 되고, 소자 제작을 위하여 Backside를 Grinding 공정을 하게 되는데, 이때 SiC Wafer의 두께에 따른 소자의 특성에 영향을 주게 되기 때문에 SiC Wafer의 두께 측정기(Bow & Warp)를 이용한 측정은 반드시 수행되어야 함

  • 구성 및 성능

    • 고온 공정으로 인하여 발생하는 SiC Wafer의 Bow 및 Warp등의 특성 측정을 위한 두께(Bow & Warp) 측정기 장비이다. 또한, SiC MOSFET 소자의 제작을 위하여 Backside Grinding 공정을 하게 되는데, SiC Wafer의 두께에 따른 소자의 특성에 영향을 주게 되기 때문에 SiC Wafer의 두께 측정기를 이용하여 Wafer 특성을 측정하는 장치
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