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장비현황

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건식식각기 Dry Etcher

시설장비등록번호
NFEC-2019-02-254371
제작사명 모델명
Samco RIE-800iPC
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : (재)부산테크노파크 파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • ○ Transfer chamber : Vacuum robot ­ 1 Loadlock, 25 Slot cassette ○ Process chamber : ICP plasma source ­ Gas injection : Shower head, EPD(End Point Detector) ○ RF(Radio frequency) Generator ­ ICP: 13.56MHz, Max. 3kW, Substrate: 13.56 MHz, Max. 1.5kW ○ Matching Unit(ICP, Substrate): full automatic matching ○ Vacuum system Process Chamber ­ Turbo molecular pump >1400 ℓ/sec total 2sets ­ Vacuum dry pump for PM >1600 ℓ/min ○ Gas Delivery Unit ­ SiC Chamber : 5 gases (SF6, He, O2, Ar, CF4) ­ Oxide Chamber : 6 gases (CF4, H2, CHF3, C4F8, O2, Ar) ○ SiC Etcher - Oxide Mask ­ Etching Rate: 0.4㎛/min, Profile: 88deg ­ No micro-trenching, No Side Striation ­ Width:0.8 ㎛ & Depth:1.5 ㎛, Open Area : 30% 이상 시 ○ Doped-Poly ­ Etching Rate: 0.2㎛/min, Profile: 88deg ­ P.R Selectivity: > 2.0(Open Area : 70% 이상 시) ○ Oxide Etcher ­ Etching Rate: 0.5㎛/min, Profile: 86deg ­ P.R Selectivity : > 3

  • 구성 및 성능

    • 유도결합플라즈마를 이용한 드라이 에칭 장비는 탄화규소(SiC) Trench가공 전용 장비이다. 이 장비는 탄화규소 Trench 에칭의 결과를 양호하게 하기 위해서는 효율적으로 고주파 전원의 도입이 이루어져있으며 이를 위해서 코일 디자인이 적절하게되어있다 생산용 장비로서 카세트 처리가 가능 하며 Recipe 편집 및 Data관리도 PC로 지원 가능하다. SiC Trench 1.5μm 식각 기준(Pattern 선폭은 1~1.5μm)으로 SiC 식각 속도는 0.4μm/min, SiC와 산화막과의 식각 선택비는 3.5:1 이상(Wafer내 평균값) 및 SiC Trench Side Wall Profile는 88° 이상(단, SiO2 Hard Mask의 Side Wall Profile이 87° 이상을 만족할 경우, Wafer내 평균값), 식각 Uniformity 차이는 ±5% 이내이다
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