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장비현황

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플라즈마박막증착기 PECVD

시설장비등록번호
NFEC-2019-01-248481
제작사명 모델명
Amat P-5000
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 전력반도체센터

  • 장비설명

    • ○ Wafer 관련 ­ - Wafer size: 150mm ­ - Wafer thickness: 350±20㎛ ­ - Wafer warp: >50㎛ ­ - Loading / Unloading: Automation ○ Hard ware 관련 ­ - Loading: Cassette-Storage Elevator-Orienter Chamber-Process Chamber ­ - Unloading: Process Chamber-Storage Elevator-Cassette ­ - Process Chamber: 2-chamber(TEOS, BPSG) ○ System 관련 ­ - Cluster type sputter ­ - 3-Phase Cryo pump, Dry pump ­ - Main chamber, Loadlock, Transfer robot, Ion gauge, Compressor, etc. ○ Deposition 관련 ­ - Deposition rate: 80Å/sec(at SiO2) ­ - Thickness uniformity: ≤±1.5% ○ Loader heating 관련 ­ - Heating temperature: max. 400℃ ○ Process gas 관련 ­ - SiH4, PH3, B2H6, O2, N2, etc.. ○ Main controller 관련 ­ - RS 232통신

  • 구성 및 성능

    • 진공 Chamber에 주입된 O2 및 TEOS[Si(OC2H5)4] Gas를 RF Power Source를 통해 이온화 시켜 Plasma를 형성하여 층간 절연막을 생성한다 진공 Chamber에 주입된 O2 및 TEOS[Si(OC2H5)4], TEB[(C2H5O)3B], TEPO[(C2H5O)3PO] Gas를 RF Power Source를 통해 이온화 시켜 Plasma를 형성 하여 BPSG 막질을 생성 시키며, 평탄화 및 절연막으로 쓰인다. 이러한 방법을 사용하여 박막을 형성하는 장비 인 CVD(Chemical Vapor Deposition)이다.
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