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장비현황

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레이저 어닐 Laser Anneal

시설장비등록번호
NFEC-2020-04-262076
제작사명 모델명
Sumitomo 35SE
표준분류
기계가공/시험장비 > 성형/가공 장비 > 레이저가공기

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • o Wafer 관련 - Wafer Size: 150mm SiC(투명) - Wafer Thickness: 150㎛ - Loading / Unloading: Automation & Manual o System 관련 - Laser Wave length : 355nm: - Stage : X,Y,Z 3 axis - Frequency : 10-70 KHz o Process 관련 - Laser waver length : 355nm - Process Temperature: Room temperature - Process Atmosphere :Air/N2/Ar - 가공 Energy: >2 / cm2 - Power stability < 2%(1sigma) Device화된 SiC Wafer 전면을 보호하면서 후면 Grinding 공정 금속 증착 공정을 통하여 MOSFET 제작 시 기판 고유저항을 줄여 R-sub, 저항을 감소시켜 소자의 성능 및 Switching Speed를 향상 SiC 소자의 기판 후면 가공을 통한 소자의 구동저항을 감소시켜 성능 향상 SiC Wafer의 후면 가공을 통한 소자의 집적화 및 부품 경량화 실현 금속박막에 선택적으로 에너지를 공급하여 Silicide를 형성하여 저항을 감소 Back Side의 표면가공 후 금속물질을 증착시켜 전면부와의 Ohmic Contact실현

  • 구성 및 성능

    • SiC 기판과 접촉 저항을 감소하기 위하여 얇은 웨이퍼에 금속을 증착한 후 금속과 SiC 계면에 레이저를 조사하여 금속과 SiC 웨이퍼와의 오믹접촉형성으로 정상적인 저항성 접촉을 형성하고자 한다. SiC wafer의 전면부 공정이 진행된 이후에 후면 공정이 진행되므로 전면의 미세패턴에 열적인 영향을 최소화하기 위하여 SiC wafer와 금속계면에 선택적으로 레이저를 조사하기 위한 장비임
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