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장비현황

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퍼니스 Furnace

시설장비등록번호
NFEC-2019-01-248434
제작사명 모델명
TOYOKO KAGAKU Ailesic-1500
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 퍼니스

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • ○ Operational Temperature: 700～1500℃（Max1550℃） ○ Heating Rate: ≦20℃/min ○ Batch Size: ～Φ150mm, 25 wafers/batch ○ Furnace Type: Hot Wall Type Vertical Furnace ○ Flat Zone Length: 250mm＠Operational Temp.±1.0℃ ○ Wafer Loader: Scalar Type Single Arm Robot ○ Particle: Increase less than 10 (Size: ≧0.2㎛) ○ SiO2 Film Thickness Uniformity ­ Within Wafer: ≦±1% ­ Within Batch: ≦±2% ­ Between Batches: ≦±3% ­ Metal Contamination: 〈1.0E+11 atoms/cm2 ○ Temperature Measurement: Thermocouple ○ Tube/Boat Material: All CVD SiC ○ N2O gas로 Direct growth방식으로 질화 처리된 산화막을 형성

  • 구성 및 성능

    • ○ SiC에서 산화막 성장속도는 실리콘에 비하여 매우 더디며 훨씬 고온에서 공정이 진행됨 ­ SiC는 실리콘과 유사하게 고온, 산소 분위기에 노출되면 자연산화막이 형성 ­ SiC의 Si-face의 산화막 성장 속도는 Si의 약 1/10 이하로 상대적으로 매우 느림 ­ SiC 산화막 공정은 1,150~1,500℃ 범위에서 진행됨. 이는 Si보다 높은 온도 ­ 고품질의 게이트 열산화막을 만들기 위해 SiC 전용의 고온 열산화로가 반드시 필요함 ○ 산화막 성장속도의 비등방성 ­ 또한 SiC는 재료 특성상 결정방향에 따라서 열산화 공정 시 산화막의 성장속도, 계면 결함 특성이 각각 다름 ­ SiC 기판의 결정면에서 채널 방향을 고려하여 최적화된 게이트 산화막 공정이 필수적임
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