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장비현황

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후면 그라인더 Back Side Grinder

시설장비등록번호
NFEC-2020-04-262073
제작사명 모델명
Disco DGP8761
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 가공/리페어/절단장비

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • ○ Wafer 관련 -­ Wafer Size: 150mm SiC(투명) -­ ­ Wafer Thickness: Before 350㎛ → Grinding 150㎛(Final Thickness) -­ ­ Loading / Unloading: Automation ○ System 관련 -­ Fully Automatic Grinder/Polisher Machine -­ Main Body: Z1, Z2 Grinding, Z3 Dry Polishing, Cleaning & Vacuum System -­ Polishing Residue Collector -­ ­ Duct Unit ­ -­ UPS ­ -­ DTU(Cooling System) ○ Process 관련 -­ ­ Grinder Wheel: 300mm ­ -­ High Rigidity: 6.3Kw(Spindle Power) ­ -­ TTV: Grinding ≤5nm , Dry Polishing ≤3nm ­ -­ Roughness: Grinding ≤5nm , Dry Polishing ≤3nm ­ -­ Measure Range: 0 to 1.8mm ­ -­ Repeatability: ±0.5㎛ ­ -­ Cleaning: Water Washing & Drying ○ SiC Wafer의 후면 두께를 얇게 가공 ­ SiC 소자의 기판 후면 가공을 통한 소자의 구동저항을 감소시켜 성능 향상 ­ 후면의 균일한 정밀 가공(Grinding)을 통한 금속 증착공정 시 금속간 접합력 향상 ­ SiC Wafer의 후면 가공을 통한 소자의 집적화 및 부품 경량화 실현 ­ Grinding 공정 시 발생되는 표면 미세결함을 Stress Relief공정을 통해 소자의 항절강도를 향상시킴 ­ Back Side의 표면 가공 후 금속물질을 증착시켜 전면부와의 Ohmic Contact 실현

  • 구성 및 성능

    • 후면그라인더(BSG, Back-Side Grinder)는 SiC Wafer(4, 6인치 모두 공정 가능해야 함)의 후면 연마를 위한 전용 장비로, 고강성 연마 스핀들을 기본으로 SiC Wafer의 두께 조절이 가능한 장비이다. 초정밀 스핀들을 고속 회전시켜 후면을 Grinding하며 공정 후, Wafer의 후면에 남아있는 Grinding Damage를 제거하기 위하여 Polishing(Dry, Wet 등) 기능도 포함되어있는 장치로, 대량 생산을 위한 Wafer 로봇 Loading/Unloading, Moving 시스템이 탑재되어 있는 장치이다. 또한, 모든 공정의 제어는 PC로 조절 가능해야하고, 관리 및 유지를 위한 Data 저장도 가능
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