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장비현황

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플라즈마박막증착기 plasma thin film deposition machine

시설장비등록번호
제작사명 모델명
Amat P-5000
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비

설치장소 : 전력반도체센터

장비문의 : 051-513-3910

  • 장비설명

    • 진공 Chamber에 주입된 O2 및 TEOS[Si(OC2H5)4] Gas를 RF Power Source를 통해 이온화 시켜 Plasma를 형성하여 층간 절연막을 생성한다 진공 Chamber에 주입된 O2 및 TEOS[Si(OC2H5)4], TEB[(C2H5O)3B], TEPO[(C2H5O)3PO] Gas를 RF Power Source를 통해 이온화 시켜 Plasma를 형성 하여 BPSG 막질을 생성 시키며, 평탄화 및 절연막으로 쓰인다. 이러한 방법을 사용하여 박막을 형성하는 장비 인 CVD(Chemical Vapor Deposition)이다.

  • 구성 및 성능

    • ○ Wafer 관련
      ­ - Wafer size: 150mm
      ­ - Wafer thickness: 350±20㎛
      ­ - Wafer warp: >50㎛
      ­ - Loading / Unloading: Automation
      ○ Hard ware 관련
      ­ - Loading: Cassette-Storage Elevator-Orienter Chamber-Process Chamber
      ­ - Unloading: Process Chamber-Storage Elevator-Cassette
      ­ - Process Chamber: 2-chamber(TEOS, BPSG)
      ○ System 관련
      ­ - Cluster type sputter
      ­ - 3-Phase Cryo pump, Dry pump
      ­ - Main chamber, Loadlock, Transfer robot, Ion gauge, Compressor, etc.
      ○ Deposition 관련
      ­ - Deposition rate: 80Å/sec(at SiO2)
      ­ - Thickness uniformity: ≤±1.5%
      ○ Loader heating 관련
      ­ - Heating temperature: max. 400℃
      ○ Process gas 관련
      ­ - SiH4, PH3, B2H6, O2, N2, etc..
      ○ Main controller 관련
      ­ - RS 232통신
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