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장비현황

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고온이온주입기 High Temperature Ion Implant

시설장비등록번호
NFEC-2019-06-256216
제작사명 모델명
Ulvac IH-860PSIC
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 이온주입장치

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 파워반도체상용화센터

  • 장비설명

    • ○ High Temperature Implantation: 500℃ with Hot plate ○ Beam Energy ­ ~ 400keV @single charge ­ ~ 800keV @double charge ­ ~ 1,200keV @triple charge

  • 구성 및 성능

    • ○ 파워반도체 SiC 소자의 Junction을 형성하기 위한 이온주입 장비 (기판온도는 500℃로 유지) ­ - 파워반도체 SiC 소자용 가속에너지 40∼600keV급 이온주입 공정 ­ ­ - 파워반도체 SiC 소자 다중 에너지 연속 주입공정(Box Profile) ­ ­ - P- Well, N+ Source, P+ Guard Ring의 Junction 형성 ­ ­ - 파워반도체 SiC wafer Trench내 이온주입 ○ SiC에 불순물을 도핑 ­­ - N Type: P. N, As 중 사용가능 ­ - ­ P Type: Al, B 중 사용가능
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