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장비현황

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퍼니스(LPCVD) Furnace(LPCVD)

시설장비등록번호
NFEC-2019-05-255740
제작사명 모델명
㈜피앤테크 PF-D63
표준분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 퍼니스

※ 정보출처 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr, T.1670-0925)

설치장소 : 클린룸동

  • 장비설명

    • ○ Furnace Type: Hot Wall Type Horizontal Furnace ○ Batch Size: ～Φ150mm, 25 wafers/batch ○ D-Poly ­ - Temp : 500°C – 680°C ­ - Gas System : N2, SiH4, PH3 ­ - Vacuum Pump : Dry ­ - Thickness Uniformity : < 5%(inwafer / Wafer to Wafer / Run to Run) ○ HTO ­ - Temp : 800°C – 900°C ­ - Gas System : N2, SiH4, N2O ­ - Vacuum Pump : Dry ­ - Thickness Uniformity : < 5%(inwafer / Wafer to Wafer / Run to Run) ○ Al Sinter ­ - Temp : 400°C – 500°C ­ - Gas System : N2, H2 ○ Wafer Loader: SEMI Auto ○ Temperature Measurement: Thermocouple ○ Wafer Aligner ○ Temp Recorder : 8Ch 이상 ○ Tube/Boat Material: Quartz(6inch)

  • 구성 및 성능

    • ○ SiC MOSFET 소자의 스위칭 특성 향상을 위해 폴리실리콘을 사용하여 케이트 전극 형성 ○ SiC MOSFET 소자의 유전막, 소자 격리용 등으로 사용하기 위한 산화막 형성 - LP-CVD를 이용하여 HTO 박막 성장 ○ SiC MOSFET 금속배선 형성을 위해 금속 증착 후 고온에서 소결하여 폴리사이드(Policide) 형성
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